申请日:2018-10-29 授权日:2021-07-16 本发明涉及集成电路器件技术领域,设计/研究具体为低漏电流、大阻值比的 MgO纳米线RRAM及其制造方法,本发明的MgO纳米线RRAM设计具有纳米线结构MgO阻变层,纳米线使MgO带隙提高而更有效抑制漏电流,纳米线结构使得RRAM导电细丝限定在纳米线内,难以在空间上发散、衍生,从而形成导电路径更短,随机性较低,进而提高高、低阻状态阻变参数均匀性,并采用CNTs/石墨烯符合电极进一步降低编程电压。此外,在限定单元区域内生长纳米线使得各RRAM存储单元间的导电路径分布更均匀,进一步降低RRAM的特征参数发散性。从而设计实现一种具有阻变参数均匀的低漏电流、大阻值比MgO纳米线RRAM
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